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天博集团_英飞凌碳化硅MOSFET技术 助力电源转换设计达到前所未有的效率和性能

编辑:天博集团有限公司 来源:天博集团有限公司 创发布时间:2021-08-11阅读65560次
  本文摘要:二零一六年5月10日,德国慕尼黑讯英飞凌高新科技股份有限公司开售颠覆性的碳碳复合材料(SiC)MOSFET技术性,使设计产品能够在功率和性能上超出史无前例的水准。

二零一六年5月10日,德国慕尼黑讯英飞凌高新科技股份有限公司开售颠覆性的碳碳复合材料(SiC)MOSFET技术性,使设计产品能够在功率和性能上超出史无前例的水准。英飞凌的CoolSiC MOSFET不具有更高协调能力,可提高工作效率和頻率。

他们将有助电源转换计划方案的开发者节约室内空间、降低净重、降低散热风扇回绝,并提高可信性和降低系统软件成本费。  英飞凌工业生产输出功率操控业务部首席总裁Helmut Gassel博士研究生觉得:20很多年来,英飞凌依然回头在产品研发SiC解决方法的最前三甲,着眼于满足客户需求对节约资源、减少规格、信息系统集成和提高可信性的市场的需求。英飞凌生产制造出有数千万件所含SiC器件的商品,而大家的肖特基二极管和J-FET技术性使设计方案工作人员必须搭建运用传统式处理芯片不有可能超出的功率和性能。该解决方法如今朝前迈入了一大步,将输出功率MOSFET涵盖以内,这促使从SiC技术性获得的好处将被提升 到史无前例的新水准。

  SiC MOSFET带来的危害十分贞着。电源转换计划方案的电源頻率可超出现阶段常用电源頻率的三倍或之上。

这能带来众多好处,如提升带磁元器件和系统软件机壳常用的铜和铝二种原材料的使用量,便于打造更为小、轻便的系统软件,进而提升运送劳动量,而且更为便于改装。新的解决方法有利于节约资源的特性由电源转换设计方案工作人员来搭建。这种运用于的性能、高效率和系统软件协调能力也将提升 至全方位方面。

  全新升级1200 V SiC MOSFET历经提升,兼具可信性与性能优点。他们在动态性耗损层面竖起了新的榜样,相比1200 V硅(Si)IGBT较低了一个量级。

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这在最开始能够抵制光伏逆变器、连续电源(UPS)或充电电池/储能系统等运用于的系统软件改进,自此可将其范畴不断发展到工业生产软启动器。  该MOSFET基本上相溶一般来说作为驱动器IGBT的 15 V/-5 V工作电压。他们将4 V标准阀值额定电流(Vth)与总体目标运用于回绝的短路故障鲁棒性和基本上效率高的dv/dt特点结合一起。

与Si IGBT相比的重要优点还包含:独立国家于溫度的开关损耗和无阈值电压的静态数据特点。  全新升级MOSFET汇融了很多年SiC半导体材料产品研发工作经验,根据技术设备的管沟半导体材料加工工艺,意味着着英飞凌CoolSiC 商品大家族的最近发展趋势。该商品系列产品还包含肖特基二极管和1200 V J-FET器件及其在一个控制模块中搭建Si IGBT和SiC二极管的一系列混和解决方法。  第一款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的通断电阻器(RDS(ON))额定电流为45 m。

他们将应用3扩展槽和4扩展槽TO-247PCB,对于光伏逆变器、UPS、充电电池充电电池和储能技术运用于。因为搭建了反向恢复耗损类似零的轻巧型体二极管,因此 这二种型号规格的器件都供作为即时整流器计划方案。4扩展槽PCB有一个附加的源极相接接线端子(Kelvin),做为门趋于驱动器工作电压的参考电位差。

根据防止因为源趋于电感器引起的损耗的危害,这能够更进一步降低开关损耗,特别是在高些电源頻率时。  此外,英飞凌还宣布开售根据SiC MOSFET技术性的1200 VEasy1B半桥和降血压控制模块。

这种控制模块应用PressFIT相接,有不错的热页面、低杂散电感器和坚固的设计方案,每个PCB的控制模块皆有11 m和23 m的RDS(ON)额定电流选择项。


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